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鍍膜中常見的幾種離子源

作者:admin 發(fā)布日期:2017-07-04 關(guān)注次數(shù): 二維碼分享

離子源類型雖多,目的卻無(wú)非在線清洗,改善被鍍表面能量分布和調(diào)制增加反應(yīng)氣體能量。離子源可以大大改善膜與基體的結(jié)合強(qiáng)度,同時(shí)膜本身的硬度與耐磨耐蝕特性也會(huì)改善。若是鍍工具耐磨層,一般厚度較大而對(duì)膜厚均勻性要求不高,可采用離子電流較大能級(jí)也較高的離子源,如霍爾離子源或陽(yáng)極層離子源。

陽(yáng)極層離子源,與霍爾離子源原理近似。在一條環(huán)形(長(zhǎng)方形或圓形)窄縫中施加強(qiáng)磁場(chǎng),在陽(yáng)極作用下使工作氣體離子化并在射向工件。陽(yáng)極層離子源可以做得很大很長(zhǎng),特別適合鍍大工件,如建筑玻璃。陽(yáng)極層離子源離子電流也較大。但其離子流較發(fā)散,且能級(jí)分布太寬。一般適用于大型工件,玻璃,磨損,裝飾工件。但應(yīng)用于高級(jí)光學(xué)鍍膜并不太多。


考夫曼離子源是應(yīng)用較早的離子源。屬于柵格式離子源。首先由陰極在離子源內(nèi)腔產(chǎn)生等離子體,讓后由兩層或三層陽(yáng)極柵格將離子從等離子腔體中抽取出來(lái)。這種離子源產(chǎn)生的離子方向性強(qiáng),離子能量帶寬集中,可廣泛應(yīng)用于真空鍍膜中。缺點(diǎn)是陰極(往往是鎢絲)在反應(yīng)氣體中很快就燒掉了,另外就是離子流量有極限,對(duì)需要大離子流量的用戶可能不適和。

PVD鍍膜

霍爾離子源是陽(yáng)極在一個(gè)強(qiáng)軸向磁場(chǎng)的協(xié)作下將工藝氣體等離子化。這個(gè)軸向磁場(chǎng)的強(qiáng)不平衡性將氣體離子分離并形成離子束。由于軸向磁場(chǎng)的作用太強(qiáng),霍爾離子源離子束需要補(bǔ)充電子以中和離子流。常見的中和源就是鎢絲(陰極)?;魻栯x子源的特點(diǎn)是:

1簡(jiǎn)單耐用。

2離子電流與氣體流量幾乎成比例,可獲得較大離子電流。

3鎢絲一般橫跨在出口,收離子束沖擊很快會(huì)銷蝕,尤其對(duì)反應(yīng)氣體,一般十幾個(gè)小時(shí)就需更換。并且鎢絲還會(huì)有一定的污染。為解決鎢絲的缺點(diǎn)。有采用較長(zhǎng)壽中和器的,如一個(gè)小的空心陰極源。

霍爾離子源可以說是應(yīng)用最廣泛的離子源。高級(jí)的如Veece的Mark I 和 Mark II 離子源。適用的如國(guó)產(chǎn)的大部分離子源。

真空鍍膜

如果鍍耐磨裝飾膜,膜厚大,需要與機(jī)體結(jié)合力強(qiáng),而均勻性要求不高??捎没魻栯x子源。其離子電流大,且離子能級(jí)也高。如果是鍍光學(xué)膜,則主要要求離子電流能級(jí)集中,離子電流均勻性好。故最好用Kaufman或RF離子源,有條件的可采用ECR(電子回旋)或ICP(感應(yīng)耦合)離子源。另外,也要考慮到耗材,如用鎢絲的霍爾源在反應(yīng)氣體中十來(lái)個(gè)小時(shí)就燒斷了。而高級(jí)離子源如ICP離子源可在反應(yīng)氣體中連續(xù)工作幾百小時(shí)。


鍍燈具鋁膜。因?yàn)槭墙饘倌ぃ?dāng)然是直流磁控濺射好。速度快。中頻適合鍍化合物膜。如果選離子源,霍爾離子源就夠了。但要注意燈具大小。一般霍爾離子源是圓形,離子源覆蓋的面積有限。你一定要用離子束將工件全部覆蓋到。若普通霍爾離子源太小,可考慮用陽(yáng)極層離子源。離子源難起輝的一個(gè)原因是磁場(chǎng)太弱激發(fā)不起等離子體。離子源的種類雖多,但基本上是先產(chǎn)生等離子體,然后從等離子體中抽出氣體離子并加速成離子束,讓后視需要注入電子中和離子流。


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