無論監(jiān)控儀精度怎樣，它也只能控制真空室里單點(diǎn)位置的膜厚，一般來講是工件架的中間位置。如果真空電鍍?cè)O(shè)備此位置的膜厚不是絕對(duì)均勻的，那么遠(yuǎn)離中心位置的基片就無法得到均勻的厚度。雖然屏蔽罩能消除表現(xiàn)為長(zhǎng)期的不均勻性，但有些膜厚度的變化是由蒸發(fā)源的不穩(wěn)定或膜材的不同表現(xiàn)而引起的，所以幾乎是不可能消除的，但對(duì)真空室的結(jié)構(gòu)和蒸發(fā)源的恰當(dāng)選擇可以使這些影響最小化。
在過去幾年中，越來越多的用戶要求鍍膜系統(tǒng)制造廠家提供高性能的小規(guī)格、簡(jiǎn)便型光學(xué)鍍膜系統(tǒng)，同時(shí)，用戶對(duì)性能的要求不僅沒有降低，反而有所提高，特別是在薄膜密度和保證吸水后光譜變化最小化等方面。
現(xiàn)在，系統(tǒng)的平均尺寸規(guī)格已經(jīng)在降低，而應(yīng)用小規(guī)格設(shè)備進(jìn)行光學(xué)鍍膜的生產(chǎn)也已經(jīng)轉(zhuǎn)變成為純技術(shù)問題。因此，選用現(xiàn)代化光學(xué)鍍膜系統(tǒng)的關(guān)鍵取決于對(duì)以下因素的認(rèn)真考慮：對(duì)鍍膜產(chǎn)品的預(yù)期性能，基片的尺寸大小和物理特性以及保證高度一致性工藝所必需的所有技術(shù)因素。