鍍膜

①沉積鈦底層

真空度：通入高純氬氣，真空度保持在5 x 10-2pa。電弧電流：50～70a，引燃全部弧源，時(shí)間為2～3min。偏壓：400～500v。

②沉積tin膜

真空度：通入高純氮?dú)?，真空度保持在s x lo-1pa。偏壓：100～200vo電弧電流：60～80a。沉積時(shí)間：10～20min，膜層厚度0.1～0.5μm。

③摻金鍍

真空度：通入高純氮?dú)?，真空度保持? x 10-2pa。偏壓：100～150v。電弧電流：60a(真空鍍膜室上、中、下各點(diǎn)燃1個(gè)源)。磁控濺射金靶電壓：400—500v，電流3～5a;時(shí)間：1min。

④鍍金

真空度：通入氬氣，真空度保持在3 x 10-1pa。偏壓：100～150v。濺射靶電壓：400～550v。時(shí)間：5-10min。

⑤沉積si02

真空度：通入高純氬氣，真空度8 x 10-2pa或5x 10-1pa。中頻（射頻）電源功率：200～500w。時(shí)間：10～20min。